Data Sheet
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
350
300
250
SIDE 2
1.6
1.4
1.2
1.0
ADuM1510
200
0.8
150
SIDE 1
0.6
100
0.4
50
0.2
0
0
50
100
150
200
0
0
2
4 6
8
10
CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 3. Thermal Derating Curve, Dependence of Safety-Limiting Values
with Case Temperature per DIN V VDE V 0884-10
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
DATA RATE (Mbps)
Figure 6. Typical Output Supply Current per Channel vs. Data Rate
(15 pF Output Load)
8
7
6
5
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3
2
1
0
0
2
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8
10
0
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8
10
DATA RATE (Mbps)
Figure 4. Typical Input Supply Current per Channel vs. Data Rate
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
DATA RATE (Mbps)
Figure 7. Typical Total V DD1 Supply Current vs. Data Rate
8
7
6
5
4
3
2
1
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0
2
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8
1 0
0
2
4 6
8
10
DATA RATE (Mbps)
Figure 5. Typical Output Supply Current per Channel vs. Data Rate
(No Output Load)
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DATA RATE (Mbps)
Figure 8. Typical Total V DD2 Supply Current vs. Data Rate
(15 pF Output Load)
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相关代理商/技术参数
ADUM151N0BRZ 功能描述:General Purpose Digital Isolator 3000Vrms 5 Channel 150Mbps 75kV/μs CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 制造商:analog devices inc. 系列:iCoupler? 包装:管件 零件状态:在售 技术:磁耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:5 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:4/1 通道类型:单向 电压 - 隔离:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):75kV/μs 数据速率:150Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):13ns,13ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:48
ADUM151N0BRZ-RL7 功能描述:DGTL ISO 3KV GEN PURP 16SOIC 制造商:analog devices inc. 系列:iCoupler? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 技术:磁耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:5 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:4/1 通道类型:单向 电压 - 隔离:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):75kV/μs 数据速率:150Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):13ns,13ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:1,000
ADUM151N1BRZ 功能描述:General Purpose Digital Isolator 3000Vrms 5 Channel 150Mbps 75kV/μs CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 制造商:analog devices inc. 系列:iCoupler? 包装:管件 零件状态:在售 技术:磁耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:5 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:4/1 通道类型:单向 电压 - 隔离:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):75kV/μs 数据速率:150Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):13ns,13ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:48
ADUM151N1BRZ-RL7 功能描述:DGTL ISO 3KV GEN PURP 16SOIC 制造商:analog devices inc. 系列:iCoupler? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 技术:磁耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:5 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:4/1 通道类型:单向 电压 - 隔离:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):75kV/μs 数据速率:150Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):13ns,13ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:1,000
ADUM152N0BRZ 功能描述:General Purpose Digital Isolator 3000Vrms 5 Channel 150Mbps 75kV/μs CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 制造商:analog devices inc. 系列:iCoupler? 包装:管件 零件状态:在售 技术:磁耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:5 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:3/2 通道类型:单向 电压 - 隔离:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):75kV/μs 数据速率:150Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):13ns,13ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:48
ADUM152N0BRZ-RL7 功能描述:DGTL ISO 3KV GEN PURP 16SOIC 制造商:analog devices inc. 系列:iCoupler? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 技术:磁耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:5 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:3/2 通道类型:单向 电压 - 隔离:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):75kV/μs 数据速率:150Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):13ns,13ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:1,000
ADUM152N1BRZ 功能描述:General Purpose Digital Isolator 3000Vrms 5 Channel 150Mbps 75kV/μs CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 制造商:analog devices inc. 系列:iCoupler? 包装:管件 零件状态:在售 技术:磁耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:5 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:3/2 通道类型:单向 电压 - 隔离:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):75kV/μs 数据速率:150Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):13ns,13ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:48
ADUM152N1BRZ-RL7 功能描述:DGTL ISO 3KV GEN PURP 16SOIC 制造商:analog devices inc. 系列:iCoupler? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 技术:磁耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:5 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:3/2 通道类型:单向 电压 - 隔离:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):75kV/μs 数据速率:150Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):13ns,13ns 脉宽失真(最大):4.5ns 上升/下降时间(典型值):2.5ns,2.5ns 电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:1,000